{"id":10684,"date":"2025-05-20T11:01:06","date_gmt":"2025-05-20T09:01:06","guid":{"rendered":"https:\/\/www.phi-gmbh.eu\/subnanometer-accuracy-for-the-chip-industry-tof-sims-in-focus\/"},"modified":"2025-05-20T11:28:00","modified_gmt":"2025-05-20T09:28:00","slug":"subnanometergenauigkeit-fuer-die-chipindustrie-tof-sims-im-fokus","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.phi-gmbh.eu\/de\/subnanometergenauigkeit-fuer-die-chipindustrie-tof-sims-im-fokus\/","title":{"rendered":"Subnanometergenauigkeit f\u00fcr die Chipindustrie: TOF-SIMS im Fokus"},"content":{"rendered":"

Subnanometergenauigkeit f\u00fcr die Chipindustrie<\/h2>\n<\/div>
TOF-SIMS im Fokus<\/h5>\n<\/div>
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Die Kombination von Flugzeit-Sekund\u00e4rionen-Massenspektrometrie (TOF-SIMS) und Tandem-Massenspektrometrie erm\u00f6glicht eine hochaufl\u00f6sende, dreidimensionale Darstellung der chemischen Zusammensetzung von Oberfl\u00e4chen. Dies ist besonders wichtig f\u00fcr die Analyse von (Sub-)Monolayer-Beschichtungen in der Halbleiterherstellung.<\/p>\n<\/div>

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What is TOF-SIMS Tandem MS Imaging?<\/h2>\n<\/div><\/div><\/div>

TOF-SIMS (Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)<\/strong> ist eine Technik, bei der die Oberfl\u00e4che eines Materials mit einem Ionenstrahl beschossen wird. Dabei werden Sekund\u00e4rionen von der Oberfl\u00e4che extrahiert, die dann nach ihrem Masse-Ladungs-Verh\u00e4ltnis analysiert werden.
\nDie Tandem-MS (MS\/MS)<\/strong> erweitert diese Methode, indem ausgew\u00e4hlte Ionen zus\u00e4tzlich fragmentiert und erneut analysiert werden. Dies liefert strukturelle Informationen<\/strong> \u00fcber Molek\u00fcle, nicht nur ihre Masse.<\/p>\n<\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>

\u00a0Anwendung in der Halbleiterindustrie<\/p><\/h2><\/div><\/div><\/div>