Exklusiver Workshop am IKTS Dresden – 11. September 2025
„LiteScope AFM-in-SEM: Neue Maßstäbe in der Halbleiterfehleranalyse und Materialcharakterisierung“
Wir freuen uns, Sie zu unserem kommenden Workshop „LiteScope AFM-in-SEM: Neue Maßstäbe in der Halbleiterfehleranalyse und Materialcharakterisierung“ einladen zu dürfen.
Bitte beachten Sie, dass die Anzahl der Teilnehmer auf 25 begrenzt ist.
LiteScope is an innovative AFM-in-SEM tool, built for researchers pushing the limits of material science. Through its correlative CPEM mode, it enables simultaneous acquisition of morphological, electrical, mechanical, and magnetic data, directly inside your existing SEM environment.
Designed for both academic labs and industrial R&D, LiteScope enhances existing workflows while revealing hidden behaviours in devices and materials, previously impossible to discover with traditional tools. From failure analysis of semiconductor devices to battery materials characterisation, LiteScope AFM-in-SEM continues to reveal what others can’t.

Warum lohnt sich Ihre Teilnahme?
„Da Halbleiterbauelemente immer kleiner werden und die Materialarchitekturen immer fortschrittlicher werden, greifen herkömmliche Fehleranalysewerkzeuge oft zu kurz. Deshalb möchte ich Sie persönlich zu unserem bevorstehenden AFM-in-SEM-Workshop am Fraunhofer IKTS in Dresden einladen, wo wir demonstrieren werden, wie LiteScope eine präzise, ortsspezifische In-situ-Analyse direkt im REM ermöglicht.
Diese praxisnahe Veranstaltung wird zeigen, wie unser integrierter Ansatz Topographie, elektrische und mechanische Eigenschaften auf einzigartige Weise korreliert – und damit Ihren Arbeitsablauf optimiert und wichtige Erkenntnisse für die Halbleiter-Fehleranalyse und die moderne Materialforschung liefert. Es wird eine Live-Demo geben, bei der Sie den gesamten Arbeitsablauf in Aktion sehen können!“
Sichern Sie sich Ihren Platz hier & jetzt
In-situ/Korrelative Mikroskopie
Unter In-situ-Mikroskopie versteht man die Technik der Beobachtung und Analyse von Materialien oder Proben in ihrer natürlichen Umgebung, ohne sie während des Messvorgangs zu entfernen oder zu verändern. Diese Methode ist für die Forschung und Entwicklung von entscheidender Bedeutung, da sie ungestörte Beobachtungen in Echtzeit ermöglicht, die genaue Untersuchungen von dynamischen Prozessen wie Reaktionen, Phasenübergängen oder Versagensmechanismen in Materialien erlauben.
Bei der korrelativen Mikroskopie werden verschiedene bildgebende Verfahren (z. B. SEM und AFM) kombiniert, um komplementäre Daten über dieselbe Probe zu erfassen, was einen umfassenden Blick auf Struktur und Funktion ermöglicht. In der Forschung und Entwicklung ist dieser Ansatz von unschätzbarem Wert für die Verknüpfung topografischer, elektrischer und mechanischer Eigenschaften und hilft den Forschern, tiefere Einblicke in komplexe Materialien und Systeme zu gewinnen.

Komplexe und korrelative Probenanalyse
Die hochmoderne CPEM-Technologie ermöglicht die gleichzeitige Erfassung von AFM- und SEM-Daten und deren nahtlose Korrelation.
Echte standortspezifische Fehleranalyse
Navigieren Sie direkt zu bestimmten Vias, Transistoren oder dotierten Schichten und führen Sie lokalisierte elektrische AFM-Analysen mit nanoskaliger Präzision durch.
Reduzieren Sie Zeit und Kosten pro Analyse
Eliminieren Sie zeitaufwändige Probentransfers und die redundante Verwendung von Werkzeugen – optimieren Sie die Fehlerlokalisierung in einem einzigen Arbeitsablauf innerhalb Ihrer bestehenden SEM-Umgebung.
Anwendungsbereich
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